Глоссарий Метаразвития в электронике

В.К. Петросян (Вадимир). Мировая пикоэлектроника. Прошлое, настоящее, будущее. Проектирование Метаразвития. Тома 1-6


*********

© В.К.
Петросян (Вадимир) © Lag.ru [Large Apeironic Gateway, Большой Апейронический
Портал (Шлюз), Суперпортал в Бесконечность].

При копировании данного материала и размещении его на другом сайте, ссылки
на соответствующие локации порталов Lag.ru и Proza.ru обязательны

Работа написана на основе концепции и разработок В.К. Петросяна при полноценном соавторстве (активном творческом и техническом участии) ChatGPT (OpenAI), GPT-5.6 Sol

*****

Глоссарий: микро-, нано-, пико-, фемто-, ноо-, META

Д.1. Назначение, структура и правила применения глоссария
Настоящий глоссарий является нормативным терминологическим приложением в рамках авторского шеститомного исследования «Мировая пикоэлектроника. Прошлое, настоящее, будущее. Проектирование Метаразвития».

Его назначение заключается в обеспечении единообразного понимания терминов, используемых при исследовании истории микроэлектроники, развития наноэлектроники, перспектив пикоэлектроники, возможных фемтометровых исследований и проектирования генеральной технологии Метаразвития.

Необходимость специального глоссария обусловлена тем, что в настоящей работе взаимодействуют несколько различных терминологических систем.

Первая — метрологическая, определяющая физические масштабы и единицы измерения.

Вторая — физико-технологическая, описывающая материалы, электронные компоненты, вычислительные устройства и производственные процессы.

Третья — информационно-вычислительная, включающая архитектуры компьютеров, искусственный интеллект и автоматизированное проектирование.

Четвёртая — научно-методологическая, связанная с измерением технологической зрелости, доказательностью и воспроизводимостью результатов.

Пятая — авторская, содержащая понятия ноотехнологий, ноомашин, пикоэлектроники в расширенном программном смысле, генеральной технологии META и опережения опережения.

Для исключения терминологических противоречий предлагаются три статуса определений.

Статус О — общепринятый. Термин имеет устойчивое значение в международной научной и технической литературе.

Статус А — авторский. Термин или его специальное значение устанавливается настоящим исследованием и требует употребления в определённом концептуальном контексте.

Статус Г — гипотетический. Термин обозначает перспективную научно-технологическую возможность, которая ещё не подтверждена как реализованная промышленная система.

Один термин может иметь общепринятое метрологическое значение и отдельное авторское технологическое содержание.

Например, приставка «пико-» строго определена в Международной системе единиц, но название «пикоэлектроника» в данном шеститомнике охватывает специальную перспективную исследовательскую программу.

Д.2. Метрологические основания: микро-, нано-, пико- и фемто-
Д.2.1. Микро- (micro-)
Статус: О.

Приставка Международной системы единиц, обозначающая одну миллионную долю соответствующей единицы измерения.

Символ приставки — мк в русской записи единиц и µ в международной.

В современной электронике термин «микро-» используется для обозначения микрометровых размеров, микроэлектронных устройств, микросистем и других объектов, связанных с соответствующим масштабом.

Д.2.2. Микрометр
Статус: О.

Единица длины, равная одной миллионной доле метра.

Микрометровый масштаб характерен для многих конструктивных элементов микроэлектронных устройств, микромеханических систем и технологических процессов.

При этом название «микроэлектроника» не означает, что все размеры современных микросхем обязательно находятся в микрометровом диапазоне.

Д.2.3. Нано- (nano-)
Статус: О.

Приставка Международной системы единиц, обозначающая одну миллиардную долю соответствующей единицы.

Международный символ — n.

В электронике применяется при описании нанометровых размеров, тонких плёнок, каналов транзисторов, наноструктур и физических эффектов, связанных с малыми пространственными масштабами.

Д.2.4. Нанометр
Статус: О.

Единица длины, равная одной миллиардной доле метра.

Нанометровый масштаб является одним из основных при описании современной передовой полупроводниковой технологии.

Однако технологические названия «3 нм» и «2 нм» не следует трактовать как универсальную физическую длину всех элементов соответствующего транзистора.

Д.2.5. Пико- (pico-)
Статус: О.

Приставка Международной системы единиц, обозначающая одну триллионную долю соответствующей единицы.

Международный символ — p.

Используется в физических измерениях длины, времени, электрических величин и других характеристик.

Само существование приставки «пико-» не свидетельствует о технической возможности промышленного изготовления произвольных электронных компонентов соответствующего размера.

Д.2.6. Пикометр
Статус: О.

Единица длины, равная одной триллионной доле метра.

Пикометровые изменения геометрии имеют значение для высокоточных измерений атомарных структур, межатомных расстояний и некоторых свойств вещества.

Размеры атомов обычно характеризуются десятками и сотнями пикометров.

Поэтому пикометровый масштаб нельзя рассматривать как пространство обычной геометрической миниатюризации классического транзистора.

Д.2.7. Фемто- (femto-)
Статус: О.

Приставка Международной системы единиц, обозначающая одну квадриллионную долю соответствующей единицы.

Международный символ — f.

Используется для обозначения чрезвычайно малых физических величин, включая фемтометровые расстояния и фемтосекундные интервалы времени.

Д.2.8. Фемтометр
Статус: О.

Единица длины, равная одной квадриллионной доле метра.

Фемтометровый масштаб характерен для размеров атомных ядер и некоторых процессов ядерной физики.

Он существенно отличается от пространственного масштаба традиционной полупроводниковой электроники.

Д.2.9. Фемтосекунда
Статус: О.

Единица времени, равная одной квадриллионной доле секунды.

Применяется при исследовании сверхбыстрых физических процессов, динамики электронных состояний, оптических взаимодействий и ультракоротких импульсов.

Фемтосекундная электроника и гипотетическая фемтометровая электроника не являются тождественными понятиями.

Первая связана со временем протекания процессов, вторая — с исследуемым пространственным масштабом.

Д.2.10. Сравнительная таблица масштабов
Приставка Доля метра Обозначение
Микро- Одна миллионная мкм
Нано- Одна миллиардная нм
Пико- Одна триллионная пм
Фемто- Одна квадриллионная фм
Каждый следующий масштаб в таблице соответствует уменьшению характерной длины в тысячу раз.

Однако изменение длины не означает автоматического перехода к следующему поколению электронных приборов.

Д.3. Микроэлектроника и базовые электронные технологии
Д.3.1. Микроэлектроника
Статус: О.

Область электроники, связанная с разработкой, изготовлением и применением миниатюрных электронных компонентов и интегральных схем.

Включает физику полупроводниковых устройств, схемотехнику, материалы, технологические процессы, системы проектирования и промышленное производство.

Современная микроэлектроника использует в том числе нанометровые размеры, сохраняя исторически сложившееся название.

Д.3.2. Полупроводник
Статус: О.

Материал, электрические свойства которого определяются электронной зонной структурой, концентрацией носителей заряда, температурой, примесями и внешними воздействиями.

К важнейшим полупроводниковым материалам относится кремний.

Перспективные направления включают соединения различных элементов, двумерные полупроводники и другие материалы.

Д.3.3. Транзистор
Статус: О.

Электронный прибор, предназначенный для управления электрическими сигналами и токами.

Применяется для усиления, переключения и реализации логических функций.

Транзисторы могут использовать разные физические принципы, материалы и конструктивные архитектуры.

Д.3.4. MOS-транзистор
Статус: О.

Полевой транзистор, в котором управление проводимостью канала осуществляется электрическим полем затвора, отделённого от канала изолирующей структурой.

MOS-технология составляет одну из основных физических и технологических баз современной микроэлектроники.

Д.3.5. CMOS
Статус: О.

Комплементарная металл-оксид-полупроводниковая технология, основанная на совместном использовании транзисторов с противоположными типами проводимости.

Широко применяется для реализации цифровых интегральных схем.

Д.3.6. Интегральная схема
Статус: О.

Электронная система, элементы и соединения которой создаются с использованием совместимых технологических процессов на одном или нескольких взаимосвязанных полупроводниковых кристаллах.

Применяется в вычислительной технике, связи, системах управления, измерениях и других областях.

Д.3.7. FinFET
Статус: О.

Архитектура полевого транзистора, в которой проводящий канал имеет пространственную структуру, напоминающую ребро, а затвор управляет каналом с нескольких сторон.

Развивалась для улучшения электростатического управления при уменьшении характерных размеров.

Д.3.8. Gate-All-Around (GAA)
Статус: О.

Архитектура транзистора, предусматривающая охват проводящего канала управляющим затвором.

Позволяет исследовать и реализовывать усовершенствованное электростатическое управление каналом.

Применяется в перспективных и современных передовых логических технологиях.

Д.3.9. Nanosheet-транзистор
Статус: О.

Разновидность GAA-транзистора, использующая тонкие полупроводниковые каналы в виде нанослоёв.

Такие структуры используются в передовых программах IBM, TSMC и других участников мировой полупроводниковой промышленности.

Д.3.10. Технологический узел
Статус: О.

Промышленное обозначение определённого поколения полупроводниковой технологии.

В современной практике название узла не соответствует единому универсальному геометрическому параметру.

Для объективного сравнения необходим анализ плотности транзисторов, характеристик устройств, энергопотребления, производительности, межсоединений и технологической зрелости.

Д.3.11. EUV-литография
Статус: О.

Метод оптической литографии, использующий экстремальное ультрафиолетовое излучение для формирования структур интегральных схем.

Применяется в передовых полупроводниковых производственных процессах.

Д.3.12. Гетерогенная интеграция
Статус: О.

Совместное объединение компонентов, изготовленных с использованием разных материалов, технологий или функциональных архитектур.

Позволяет создавать сложные системы без обязательного изготовления всех функциональных элементов в одном технологическом процессе.

Д.3.13. Чиплет
Статус: О.

Отдельный функциональный полупроводниковый кристалл, предназначенный для интеграции с другими кристаллами в общей системе.

Чиплетная организация позволяет специализировать компоненты и комбинировать различные технологические процессы.

Д.3.14. Выход годных изделий
Статус: О.

Доля изготовленных изделий, удовлетворяющих установленным техническим требованиям.

Один из ключевых показателей промышленной зрелости и экономической эффективности полупроводникового производства.

Д.4. Наноэлектроника и атомарно-точные технологии
Д.4.1. Наноэлектроника
Статус: О.

Направление электроники, исследующее и использующее устройства, структуры и физические эффекты, существенно связанные с нанометровыми пространственными масштабами.

Включает миниатюрные полупроводниковые приборы, квантово-размерные структуры, молекулярные компоненты и новые материалы.

Д.4.2. Наноструктура
Статус: О.

Материальный объект, имеющий по крайней мере один характерный размер в нанометровом диапазоне или обладающий свойствами, обусловленными соответствующей структурой.

Д.4.3. Квантовое ограничение
Статус: О.

Изменение доступных электронных состояний и энергетических характеристик вследствие пространственного ограничения движения частиц.

Имеет значение для квантовых точек, нанопроводов, тонких плёнок и других низкоразмерных систем.

Д.4.4. Квантовая точка
Статус: О.

Наноразмерная структура, в которой квантовое ограничение существенно влияет на электронные состояния и энергетический спектр.

Может использоваться в оптоэлектронике, исследованиях квантовых устройств и других областях.

Д.4.5. Одноэлектронное устройство
Статус: О.

Электронное устройство, функционирование которого существенно связано с контролируемым переносом отдельных электронов и эффектами зарядовой дискретности.

Д.4.6. Молекулярная электроника
Статус: О.

Исследовательское направление, в котором отдельные молекулы или молекулярные структуры рассматриваются в качестве функциональных элементов электронных устройств.

Не следует отождествлять лабораторную демонстрацию молекулярного элемента с промышленной готовностью молекулярных интегральных схем.

Д.4.7. Атомарно-точное производство
Статус: О, исследовательское употребление.

Совокупность методов контролируемого формирования, изменения или позиционирования материальных структур на уровне отдельных атомов.

Возможность атомарного управления не гарантирует экономически масштабируемого промышленного производства.

Д.4.8. Сканирующая туннельная микроскопия
Статус: О.

Метод исследования проводящих и полупроводниковых поверхностей, основанный на измерении туннельного тока между остриём зонда и исследуемым объектом.

Используется для изучения атомарной структуры и локальных электронных свойств поверхностей.

Д.4.9. Атомно-силовая микроскопия
Статус: О.

Метод исследования поверхностей посредством измерения взаимодействий между зондом и объектом.

Позволяет изучать структуру различных материалов с высокой пространственной разрешающей способностью.

Д.4.10. Beyond CMOS
Статус: О.

Общее обозначение исследований электронных устройств и физических принципов, выходящих за пределы традиционных CMOS-подходов.

Не означает существования единой альтернативной технологии, способной гарантированно заменить современную полупроводниковую промышленность.

Д.5. Пикоэлектроника и субтехнология PICO
Д.5.1. Пикоэлектроника
Статус: А, Г.

В рамках настоящего шеститомного исследования — перспективное направление исследования физических элементов и способов управления информационными состояниями, в которых существенную роль могут играть пикометровые изменения структурных параметров, атомарная геометрия и новые физические механизмы.

Понятие не означает обязательного изготовления транзисторов с геометрическим размером один пикометр.

В авторской программе пикоэлектроника рассматривается как возможная следующая исследовательская платформа после современных микро- и наноэлектронных технологий.

Её промышленная реализуемость требует самостоятельного доказательства.

Д.5.2. PICO
Статус: А.

Условное авторское обозначение физико-технологической субтехнологии генеральной программы Метаразвития.

Назначение PICO — поиск, исследование, разработка и возможная промышленная реализация перспективных электронных компонентов и вычислительных устройств, использующих новые физические возможности.

PICO должна развиваться параллельно с NOO, сохраняя собственную исследовательскую самостоятельность.

Д.5.3. Пикометровая точность
Статус: О в метрологическом смысле.

Точность измерения или управления пространственным параметром, выражаемая в пикометрах.

Пикометровая точность позиционирования не означает, что управляемый объект имеет пикометровый размер.

Д.5.4. Пикометровая функциональная чувствительность
Статус: А.

Предлагаемое обозначение высокой зависимости определённой функции электронного или физического устройства от изменений пространственных параметров пикометрового порядка.

Для практического применения требуется указать конкретную измеряемую величину, диапазон изменения параметров и экспериментальную достоверность.

Д.5.5. Пикоэлектронный функциональный элемент
Статус: А, Г.

Перспективный компонент, в котором полезная электронная или информационная функция реализуется с использованием физического механизма, исследуемого в рамках PICO.

Необходимыми условиями признания элемента являются управляемость, воспроизводимость и измеримая функциональность.

Д.5.6. Пикоэлектронная элементная база
Статус: А, Г.

Проектируемая совокупность функциональных элементов, материалов, интерфейсов и технологических процессов, обеспечивающих создание электронных систем с использованием результатов PICO.

Наличие отдельных опытных элементов не означает существования законченной промышленной элементной базы.

Д.5.7. Пикоэлектронная промышленная платформа
Статус: А, Г.

Потенциальная система промышленного производства, включающая воспроизводимые физические устройства, технологическое оборудование, стандарты проектирования, метрологию, методы испытаний и коммерчески применимые продукты.

Д.5.8. Гибридная пикоэлектронная архитектура
Статус: А, Г.

Перспективная архитектура, объединяющая компоненты PICO с традиционными полупроводниковыми и иными функциональными устройствами.

Рассматривается как возможный начальный путь внедрения новых физических элементов.

Д.5.9. Пикоэлектронная метрология
Статус: А.

Предлагаемое специализированное направление измерений, предназначенное для определения геометрических, электронных и иных характеристик объектов и процессов, исследуемых в рамках PICO.

Требует документированных измерительных методик, калибровок и оценки неопределённости.

Д.5.10. Пределы пикоэлектронной миниатюризации
Статус: А как исследовательская категория.

Совокупность физических, технологических и экономических ограничений, определяющих возможность уменьшения размеров и изменения принципов работы электронных компонентов.

К числу существенных факторов относятся атомарная структура вещества, квантовые эффекты, устойчивость состояний, тепловые процессы и стоимость производства.

Д.6. Фемтометровый и постпикоэлектронный горизонты
Д.6.1. Постпикоэлектроника
Статус: А, Г.

Обобщённое обозначение возможных технологических направлений, выходящих за пределы физических и архитектурных решений, изучаемых в программе PICO.

Постпикоэлектронное развитие не обязательно означает дальнейшее уменьшение размеров компонентов.

Оно может осуществляться посредством новых способов обработки и представления информации.

Д.6.2. Фемтометровый исследовательский горизонт
Статус: А, Г.

Перспективное направление фундаментального исследования возможностей использования физических процессов, характерных для фемтометровых пространственных масштабов.

Связано прежде всего с ядерной и субъядерной физикой.

Не должно отождествляться с простой миниатюризацией транзисторов.

Д.6.3. Фемтоэлектроника
Статус: Г при пространственной трактовке.

В настоящем исследовании — условное обозначение гипотетической технологической области, в которой для информационных функций могли бы использоваться физические состояния или процессы ядерного либо сопоставимого пространственного масштаба.

Такое определение не соответствует общепринятому названию существующей массовой электронной промышленности.

Термин необходимо отличать от электроники фемтосекундных процессов.

Д.6.4. Ядерные информационные состояния
Статус: О в общем физическом контексте.

Физические состояния атомных ядер, которые при наличии соответствующих методов подготовки, управления и считывания могут использоваться для представления или обработки информации.

Наличие ядерных состояний не означает автоматической возможности построения масштабируемой вычислительной системы.

Д.6.5. Субъядерный вычислительный горизонт
Статус: Г.

Предельно долгосрочная исследовательская гипотеза использования физических механизмов субъядерного уровня для реализации вычислительных функций.

В настоящей книге рассматривается как область фундаментальных вопросов, а не как установленная технологическая траектория.

Д.7. Ноотехнологии и субтехнология NOO
Д.7.1. Ноо-
Статус: А в специализированном употреблении.

В авторской терминологической системе — словообразовательный компонент, используемый для обозначения интеллектуально-креативных вычислительных систем и технологий, предназначенных для создания новых знаний и совершенствования исследовательской деятельности.

Происходит от греческой смысловой основы, связанной с разумом и мышлением.

Наличие компонента «ноо-» не предполагает обязательного существования сознания у соответствующей технической системы.

Д.7.2. Ноотехнология
Статус: А.

Предлагаемый класс технологий, предназначенных для выполнения, интеграции и совершенствования интеллектуально-креативных операций научно-технической деятельности.

К числу таких операций относятся формирование гипотез, моделирование, проверка результатов, инженерное проектирование и совершенствование методов решения задач.

Д.7.3. NOO
Статус: А.

Авторское обозначение интеллектуально-креативной субтехнологии генеральной программы META.

Назначение NOO — разработка ноокомпьютеров, ноомашин и специализированных исследовательских систем, способных повышать результативность научно-технического творчества.

NOO может начинать развитие на существующей электронной элементной базе без предварительного промышленного освоения PICO.

Д.7.4. Ноомашина
Статус: А.

Техническая система, специально спроектированная для выполнения проверяемых интеллектуально-креативных функций.

Может включать вычислительные устройства, интеллектуальные модели, символьные системы, средства физического моделирования и экспериментальные компоненты.

Д.7.5. Ноокомпьютер
Статус: А.

Вычислительная система, функциональная архитектура которой предназначена для постановки исследовательских задач, формирования гипотез, проверки научных результатов, технологического проектирования и совершенствования исследовательских методов.

В отличие от обычного компьютера, использующего ИИ как вспомогательное программное средство, ноокомпьютер проектируется как интегрированная исследовательская система.

Однако само наличие нескольких интеллектуальных программ не является достаточным доказательством его особого функционального статуса.

Д.7.6. Исследовательский ноокомпьютер
Статус: А.

Первоначальная специализированная ноомашина, предназначенная для выполнения и проверки научно-технических функций в ограниченных предметных областях.

Его главная задача — обеспечить экспериментальное подтверждение полезности и воспроизводимости NOO.

Д.7.7. НооПК
Статус: А, Г как массовая продуктовая категория.

Нооперсональный компьютер — перспективная персональная вычислительная система, специально предназначенная для расширения интеллектуально-креативных возможностей отдельного человека.

Предполагает интеграцию исследовательских, аналитических, проектных и обучающих функций.

НооПК не следует автоматически отождествлять с обычным персональным компьютером, оснащённым генеративным ИИ.

Д.7.8. Ноомашиностроение
Статус: А, Г как самостоятельная промышленная отрасль.

Проектируемая отрасль разработки, изготовления и испытаний ноокомпьютеров, нооперсональных компьютеров и специализированных интеллектуально-креативных исследовательских комплексов.

Д.7.9. Ноофункциональность
Статус: А.

Совокупность измеримых интеллектуально-креативных возможностей ноомашины.

Может включать способность формулировать исследовательские гипотезы, планировать проверки, интерпретировать результаты и предлагать улучшения методик.

Должна оцениваться посредством заранее установленных испытаний.

Д.7.10. Интеллектуально-креативная функция
Статус: А как объединяющая категория.

Функция системы, направленная на создание содержательно новых и потенциально полезных решений, которые допускают проверку по установленным критериям.

Новизна генерируемого текста сама по себе не является достаточным доказательством научной или инженерной новизны результата.

Д.7.11. Нооархитектура
Статус: А.

Функциональная организация ноомашины, определяющая взаимодействие компонентов постановки задач, обработки знаний, генерации гипотез, моделирования, проверки и обучения на исследовательских результатах.

Д.7.12. Нооцикл
Статус: А.

Завершённая последовательность исследовательских операций, включающая постановку задачи, формирование решения, его проверку, анализ результатов и корректировку дальнейших действий.

Д.7.13. Метакогнитивный контур NOO
Статус: А.

Функциональный механизм анализа эффективности собственных исследовательских процедур и формирования предложений по их улучшению.

Самоанализ программной системы не является доказательством наличия сознания.

Д.7.14. Нооэксперимент
Статус: А.

Эксперимент, предназначенный для измерения функциональной результативности ноомашины относительно заранее определённых критериев и контрольных методов.

Д.7.15. Ноосистема
Статус: А.

Интегрированная совокупность ноомашин, программных средств, научных данных, экспериментальных установок и организационных процедур, предназначенная для выполнения исследовательских задач.

Д.7.16. Пиконоокомпьютер
Статус: А, Г.

Перспективный ноокомпьютер, в котором функциональная архитектура NOO интегрируется с компонентами или физическими принципами, разработанными в рамках PICO.

Для подтверждения такого статуса необходимо продемонстрировать как ноофункциональность, так и измеримые преимущества соответствующих физических компонентов.

Д.7.17. Пиконоосистема
Статус: А, Г.

Проектируемая система, объединяющая интеллектуально-креативные функции NOO и физико-технологические решения PICO в едином исследовательском или вычислительном комплексе.

Д.7.18. Самосовершенствование исследовательских методов
Статус: А как объект специальной проверки.

Процесс, при котором система участвует в разработке новых способов собственной исследовательской деятельности, проверяет предложенные изменения и использует подтверждённые улучшения в последующих задачах.

Не является синонимом произвольного автономного изменения аппаратного или программного обеспечения.

Д.8. Генеральная технология META
Д.8.1. META
Статус: А.

Авторское обозначение генеральной технологии Метаразвития.

Под META понимается проектируемая система разработки, экспериментальной проверки и совершенствования методов создания последующих поколений технологий.

В настоящем шеститомнике META объединяет исследовательские возможности PICO и NOO, но не сводится к их механической сумме.

Д.8.2. Метаразвитие
Статус: А.

Предлагаемый тип научно-технологического развития, при котором объектом целенаправленного совершенствования становятся не только конкретные технологии, но и воспроизводимые методы их создания.

Метаразвитие рассматривается как самостоятельная научно-технологическая гипотеза, а не как уже установленная универсальная закономерность.

Д.8.3. Генеральная технология Метаразвития
Статус: А, Г как реализованная универсальная система.

Проектируемая комплексная технология, предназначенная для организации и совершенствования процесса создания новых технологий.

Предполагает интеграцию интеллектуально-креативных, физико-технологических, экспериментальных, инженерных и организационных компонентов.

Д.8.4. Метатехнология
Статус: А.

В настоящей книге — технология, непосредственным объектом применения которой являются методы создания, проверки или совершенствования других технологий.

Термин следует отличать от обычного использования слова «метатехнология» в иных дисциплинах.

Д.8.5. Технологическое развитие
Статус: О в широком экономико-техническом употреблении.

Процесс создания, внедрения и совершенствования технических средств, материалов, процессов и систем.

Д.8.6. Технологическое опережение
Статус: А в специальном сравнительном употреблении.

Достижение преимущества относительно определённой базовой технологической траектории или сопоставимого конкурирующего процесса.

Должно оцениваться по установленным показателям и на конкретном временном горизонте.

Д.8.7. Опережение опережения
Статус: А.

Центральная авторская категория Метаразвития.

Обозначает совершенствование самих методов достижения последующих технологических преимуществ.

В отличие от обычного ускорения разработки продукта, предполагает переход к измеримому улучшению методов, обеспечивающих создание будущих поколений технологий.

Д.8.8. Метатехнологический эффект
Статус: А.

Подтверждённое изменение результативности исследовательской или инженерной деятельности, обусловленное совершенствованием применяемых методов.

Для признания эффекта необходимо исключать альтернативные объяснения, связанные исключительно с увеличением ресурсов, оборудования или объёма исходных данных.

Д.8.9. Метатехнологический цикл
Статус: А.

Последовательность действий, включающая анализ существующего метода создания технологий, разработку улучшения, проверку результата и применение подтверждённого изменения в последующих исследованиях.

Д.8.10. Контур Метаразвития
Статус: А.

Организованная система обратной связи, в которой результаты научно-технической деятельности используются для совершенствования методов дальнейшего создания технологий.

Д.8.11. Самоускорение технологического развития
Статус: Г при трактовке как устойчивого универсального процесса.

Предполагаемая ситуация, при которой совершенствование исследовательских методов приводит к дальнейшему ускорению последующих технологических циклов.

Такой процесс не следует считать обязательным или неограниченным.

Его существование требует экспериментального подтверждения на сопоставимых последовательностях задач.

Д.8.12. Метавычислительная система
Статус: А, Г.

Перспективная вычислительная система, предназначенная для исследования, проектирования и проверки новых способов вычисления и совершенствования существующих вычислительных архитектур.

Д.8.13. Метапромышленность
Статус: А, Г как самостоятельный сектор.

Проектируемая совокупность организаций, специализирующихся на создании и совершенствовании технологических средств, предназначенных для разработки других технологий.

Д.8.14. Метатехнологическая производительность
Статус: А.

Показатель результативности процессов совершенствования методов научно-технической разработки с учётом качества, времени, ресурсов и воспроизводимости последующих результатов.

Конкретное количественное определение должно задаваться в рамках отдельного экспериментального протокола.

Д.8.15. Воспроизводимость Метаразвития
Статус: А.

Способность исследовательской системы демонстрировать подтверждённые преимущества новых методов на повторных и независимых исследовательских задачах.

Д.8.16. Критический эксперимент META
Статус: А.

Исследование, специально предназначенное для проверки центральной гипотезы Метаразвития посредством сопоставления исходных и усовершенствованных исследовательских методов при контролируемых условиях.

Отрицательный результат такого эксперимента должен приводить к пересмотру проверяемой гипотезы, а не к автоматическому объявлению эксперимента недостаточно совершенным.

Д.9. INM и организационно-технологическая система Метаразвития
Д.9.1. INM — International NooMachines
Статус: А.

Авторское обозначение проекта международной научно-технологической организации, предназначенной для разработки ноомашин и совместного развития программ NOO, PICO и META.

Фактический юридический и организационный статус проекта следует устанавливать отдельно от его концептуального описания.

Д.9.2. INM-NC1
Статус: А, проектное обозначение.

Условное название первоначального исследовательского ноокомпьютера, предлагаемое для описания первого функционального демонстратора NOO.

Не является обозначением документально подтверждённого серийного продукта.

Д.9.3. Программа META–PICO–NOO
Статус: А.

Совокупность взаимосвязанных исследовательских направлений, включающих генеральную технологию Метаразвития, физико-технологическую субтехнологию PICO и интеллектуально-креативную субтехнологию NOO.

Д.9.4. Параллельное развитие PICO и NOO
Статус: А.

Принцип организации, в соответствии с которым физико-технологические и интеллектуально-креативные исследования начинаются независимо друг от друга, а интеграция осуществляется по мере появления проверенных результатов.

Д.9.5. Взаимное технологическое усиление
Статус: А, Г до подтверждения конкретного эффекта.

Предполагаемое повышение исследовательской результативности одной субтехнологии вследствие применения достижений другой.

В контексте META центральный интерес представляет взаимодействие PICO и NOO.

Д.9.6. Исследовательская платформа INM
Статус: А, Г.

Проектируемая инфраструктура, объединяющая вычислительные системы, научные данные, экспериментальное оборудование, инженерные коллективы и средства проверки результатов.

Д.9.7. Промышленная платформа INM
Статус: А, Г.

Перспективная система разработки и производства ноомашин, пиконоокомпьютеров и иных устройств, возникающих в результате реализации программ PICO и NOO.

Д.10. Методы проверки и показатели технологической готовности
Д.10.1. Технологическая готовность
Статус: О.

Степень зрелости технического решения, определяемая по результатам исследований, демонстраций, испытаний и применения в соответствующих условиях.

Д.10.2. TRL — Technology Readiness Level
Статус: О.

Уровень технологической готовности.

Система, широко используемая в технологических программах для оценки зрелости разработок, в том числе в девятиуровневой классификации NASA.

TRL необходимо отличать от авторского индекса готовности к Метаразвитию.

Д.10.3. ИИГМ
Статус: А.

Интегральный индекс готовности к Метаразвитию — составной показатель, предложенный в приложении Г.

Предназначен для диагностики научной, вычислительной, экспериментальной, физико-технологической, экономической и организационной подготовленности определённой системы к исследованиям META.

Сам по себе не доказывает существования Метаразвития.

Д.10.4. ИИГМ-U
Статус: А.

Универсальная версия индекса готовности, предназначенная для оценки комплексной программы META–PICO–NOO.

Д.10.5. ИИГМ-N
Статус: А.

Специализированная версия индекса, предназначенная для оценки готовности к разработке NOO на существующей элементной базе без обязательного наличия собственной программы PICO.

Д.10.6. Контрольная исследовательская система
Статус: А в методике META.

Исследовательский комплекс или методика, используемые в качестве базы сравнения при экспериментальной оценке новых ноотехнологических либо метатехнологических решений.

Д.10.7. Независимая воспроизводимость
Статус: О.

Возможность получить согласующиеся результаты при повторной реализации исследования независимыми участниками при установленных условиях.

Д.10.8. Достоверность научного результата
Статус: О.

Степень обоснованности результата на основе соответствующих методов измерения, логической проверки, статистического анализа и воспроизводимых данных.

Д.10.9. Полный исследовательский цикл
Статус: А как единица оценки NOO.

Последовательность взаимосвязанных действий от формулирования исследовательской задачи до получения проверенного результата и анализа возможностей последующего совершенствования метода.

Д.10.10. Экономика научного результата
Статус: А как аналитическая категория.

Исследование затрат времени, вычислительных ресурсов, экспериментов и организационных усилий, необходимых для создания и подтверждения полезного научно-технического результата.

Д.11. Термины, требующие обязательного разграничения
Для всех шести томов рекомендуется установить следующие правила.

Микроэлектроника и наноэлектроника. Не являются взаимоисключающими историческими этапами. Современная микроэлектронная промышленность широко использует нанометровые структуры.

Нанометр и технологический узел. Нельзя отождествлять физическую единицу длины с коммерческим названием поколения производства микросхем.

Пикометровый размер и пикометровая точность. Первая характеристика определяет размер объекта, вторая — точность измерения или управления параметром.

Пикоэлектроника и PICO. Пикоэлектроника обозначает исследуемую физико-технологическую область, PICO — авторскую программу её целенаправленного развития в системе META.

Фемтометр и фемтосекунда. Первый характеризует длину, вторая — время. Их технологические применения принципиально различны.

Искусственный интеллект и NOO. Искусственный интеллект включает широкий класс вычислительных методов и систем. NOO в настоящей книге обозначает специальную авторскую программу интеллектуально-креативных технологий научно-технического производства.

Обычный ИИ-ПК и НооПК. Наличие интеллектуального программного обеспечения не означает автоматического соответствия функциональным требованиям НооПК.

Ноокомпьютер и пиконоокомпьютер. Первый определяется прежде всего исследовательской функциональностью, второй дополнительно предполагает интеграцию подтверждённых результатов PICO.

Технологическое развитие и Метаразвитие. Первое направлено на создание и совершенствование технологий, второе — на совершенствование методов их создания.

Технологическое опережение и опережение опережения. Первое означает достижение технологического преимущества, второе — совершенствование способов достижения последующих преимуществ.

Готовность к Метаразвитию и доказанное Метаразвитие. Высокая оценка ИИГМ не является экспериментальным доказательством генеральной технологии META.

Научная концепция и промышленная технология. Сформулированная гипотеза, лабораторная демонстрация и массовое промышленное производство представляют различные уровни технологической зрелости.

Д.12. Редакционные правила употребления терминов
Во всех томах рекомендуется использовать следующие основные написания:

META — генеральная технология Метаразвития.
PICO — физико-технологическая субтехнология.
NOO — интеллектуально-креативная субтехнология.
INM — International NooMachines.
НооПК — нооперсональный компьютер.
ИИГМ — интегральный индекс готовности к Метаразвитию.
Англоязычные обозначения сохраняются без изменения регистра букв.

Русскоязычные термины «ноокомпьютер», «ноомашина», «пиконоокомпьютер» и «метатехнология» рекомендуется писать слитно.

Следует также избегать использования выражения «атомарная пикоэлектроника» без пояснения конкретного физического смысла.

При первом употреблении нового авторского термина в самостоятельной главе рекомендуется приводить краткое определение и указывать его концептуальный статус.

Термин «опережение опережения» следует использовать исключительно в специальном метатехнологическом значении, определённом в разделе Д.8.7.

Д.13. Заключение к глоссарию
Разработка единой терминологической системы представляет необходимое условие научной целостности шеститомного исследования.

Она позволяет связать историю микроэлектроники, современное развитие наноэлектроники, перспективные физические исследования PICO, проектируемые интеллектуально-креативные системы NOO и генеральную концепцию META.

При этом принципиально важно сохранять различие между физически установленными величинами, технологически реализованными устройствами и авторскими исследовательскими гипотезами.

Метрологические приставки микро-, нано-, пико- и фемто- обладают строгими международными определениями.

Названия микроэлектроники, наноэлектроники и других технологических направлений описывают области научной и инженерной деятельности, а не исключительно размеры устройств.

Термины PICO, NOO, META и INM составляют специальный понятийный аппарат настоящего исследования.

Их содержание определяется предлагаемой программой проектирования Метаразвития.

Именно поэтому глоссарий выполняет не только справочную, но и методологическую функцию.

Он устанавливает границы утверждений, определяет уровни доказанности и позволяет последовательно переходить от исторического анализа электронных технологий к постановке задач будущих фундаментальных исследований.

Главный терминологический принцип шеститомника: физические масштабы должны описываться строго, достигнутые технологии — документально, а проектируемые системы Метаразвития — посредством определений, допускающих последующую экспериментальную проверку.

Библиография. Глоссарий: микро-, нано-, пико-, фемто-, ноо-, META
I. Международная система единиц и физическая терминология
1. Bureau International des Poids et Mesures. The International System of Units (SI). — 9th edition. — S;vres: BIPM, 2019; актуализированная версия, 2026.

DOI: https://doi.org/10.59161/AUEZ1291

Основной международный источник определений метрологических приставок и правил обозначения единиц.

2. BIPM. SI Prefixes. — Международная справочная таблица приставок.

https://www.bipm.org/en/measurement-units/si-prefixes
Первичный источник определений микро-, нано-, пико-, фемто- и других десятичных приставок.

3. NIST. The International System of Units (SI). NIST Special Publication 330.

https://www.nist.gov/pml/special-publication-330
Метрологическое руководство по применению Международной системы единиц.

II. Микроэлектроника, нанотехнологии и перспективные электронные устройства
4. IEEE. International Roadmap for Devices and Systems (IRDS). 2024 Edition. — IEEE, 2024.


Международная дорожная карта развития электронных компонентов, новых материалов, вычислительных архитектур и технологических процессов.

5. National Nanotechnology Coordination Office. About Nanotechnology. — National Nanotechnology Initiative.

https://www.nano.gov/about-nanotechnology
Официальное изложение понятия нанотехнологии и характерного диапазона наномасштаба.

6. Feynman R. P. There’s Plenty of Room at the Bottom // Engineering and Science. — 1960. — Vol. 23, No. 5. — P. 22–36.

https://resolver.caltech.edu/CaltechES:23.5.1960Bottom

Историческое исследование перспектив управления веществом на чрезвычайно малых масштабах.

7. Shalf J. The Future of Computing Beyond Moore’s Law // Philosophical Transactions of the Royal Society A. — 2020. — Vol. 378, No. 2166. — Article 20190061.

DOI: https://doi.org/10.1098/rsta.2019.0061

Научное исследование физических и технологических ограничений вычислительной техники и альтернативных вычислительных направлений.

III. Интеллектуальные системы и технологическая готовность
8. ISO/IEC. ISO/IEC 22989:2022. Information Technology — Artificial Intelligence — Artificial Intelligence Concepts and Terminology. — Geneva: ISO, 2022.

https://www.iso.org/standard/74296.html
Международный стандарт понятий и терминологии искусственного интеллекта.

9. NASA. Technology Readiness Levels. — 2023.

Technology Readiness Levels
Официальное описание девяти уровней технологической готовности.

10. King R. D., Rowland J., Oliver S. G. et al. The Automation of Science // Science. — 2009. — Vol. 324, No. 5923. — P. 85–89.

DOI: https://doi.org/10.1126/science.1165620

Пример научного исследования автоматизации формирования гипотез и экспериментальной проверки.

IV. Инновационные системы и оценка Метаразвития
11. ISO. ISO 56002:2019. Innovation Management — Innovation Management System — Guidance. — Geneva: ISO, 2019.

https://www.iso.org/standard/68221.html
Руководство по организации и совершенствованию систем управления инновационной деятельностью.

12. OECD; European Commission, Joint Research Centre. Handbook on Constructing Composite Indicators: Methodology and User Guide. — Paris: OECD Publishing, 2008.

DOI: https://doi.org/10.1787/9789264043466-en

Методологические основы составных индексов, используемые для проектирования ИИГМ.

V. Авторская концепция Метаразвития
13. Петросян В. К. (Вадимир). Мировая пикоэлектроника. Прошлое, настоящее, будущее. Проектирование Метаразвития. Тома 1–6. — Авторское исследование.

https://lag.ru
Концептуальная основа авторских терминов PICO, NOO, META, INM, «ноокомпьютер», «пиконоокомпьютер», «ноомашиностроение», «Метаразвитие» и «опережение опережения».

*******